引言：

“ 光刻胶作为掩模进行干法刻蚀或是湿法腐蚀后，一般都是需要及时的去除清洗，而一些高温或者其他操作往往会导致光刻胶碳化难以去除。”

光刻胶清洗去除常见的几种方法：

1、化学溶解法：使用特定的溶剂或化学溶液来溶解光刻胶。常用的溶剂包括丙酮、甲苯、丙醇等。

2、等离子体刻蚀：利用等离子体反应室中的氧等离子体对光刻胶进行刻蚀，将其去除。

3、热解法：通过加热光刻胶，使其分解或挥发，从而去除光刻胶。

4、机械去除：使用机械手段，如机械刮擦或超声波清洗等方法，去除光刻胶。

5、湿法去除：将芯片浸泡在特定的化学液体中，使光刻胶软化并脱落，实现去除。

选择合适的去除方法取决于光刻胶的类型、厚度以及实际应用需求。

AZ5214 光刻胶在温度高于120℃烘烤后或者以AZ5214作为掩模在ICP里刻蚀时往往会发生碳化，导致用丙酮难以去除。

1、化学溶解法：可以使用丙酮直接摇床去除。（没有碳化的）

2、等离子刻蚀：可以使用ICP 氧气高功率600W去除。但高功率的氧气会损伤三五族材料，导致电阻变大。（一般是处理碳化后的AZ5214光刻胶，下面有氧化硅等保护。）

3、湿法热解搅拌去除：可以使用prs3000专门的去胶液，适合用于稍微碳化后的光刻胶，这个一般可以结合热解法一起去除，同时若芯片上面没有一些波导结构等，可以同时结合搅拌棒去除。

4、机械去除：简单粗暴，可以使用蓝膜直接粘掉，或者用棉花棒直接擦除，此方法适用于芯片上无任何结构，以及芯片较厚时，一般大于300微米。

最后实在不行，如果基底片可以耐强酸强碱腐蚀的话，可以尝试用浓硫酸双氧水等。