产品简介
技术参数品牌:Onsemi型号:FDMC86261P批号:21+封装:QFN8数量:60000QQ:制造商:ONSemiconductor产品种类:MOSFETRoHS:是技术:Si安装风格:SMD/SMT封装/箱体:Power-33-8通道数量:1Channel晶体管极性:P-ChannelVds-漏源极击穿电压:150VId-连续漏极电流:2
详情介绍

技术参数
品牌: | Onsemi |
型号: | FDMC86261P |
批号: | 21+ |
封装: | QFN8 |
数量: | 60000 |
QQ: | |
制造商: | ON Semiconductor |
产品种类: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
技术: | Si |
安装风格: | SMD/SMT |
封装 / 箱体: | Power-33-8 |
通道数量: | 1 Channel |
晶体管极性: | P-Channel |
Vds-漏源极击穿电压: | 150 V |
Id-连续漏极电流: | 2.7 A |
Rds On-漏源导通电阻: | 269 mOhms |
Vgs th-栅源极阈值电压: | 4 V |
Qg-栅极电荷: | 24 nC |
最小工作温度: | - 55 C |
工作温度: | + 150 C |
Pd-功率耗散: | 40 W |
配置: | Single |
商标名: | PowerTrench |
封装: | Cut Tape |
封装: | MouseReel |
封装: | Reel |
高度: | 0.8 mm |
长度: | 3.3 mm |
系列: | FDMC86261P |
晶体管类型: | 1 P-Channel |
宽度: | 3.3 mm |
商标: | ON Semiconductor / Fairchild |
下降时间: | 20 ns |
产品类型: | MOSFET |
上升时间: | 10 ns |
工厂包装数量: | 3000 |
子类别: | MOSFETs |
典型关闭延迟时间: | 33 ns |
典型接通延迟时间: | 20 ns |
单位重量: | 165.330 mg |
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