技术参数
| 品牌： | Onsemi |
| 型号： | NTMFS4C302NT1G |
| 批号： | 21+ |
| 封装： | DFN5 |
| 数量： | 30000 |
| QQ： | |
| 制造商： | ON Semiconductor |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 技术： | Si |
| 安装风格： | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体： | SO-8FL-8 |
| 通道数量： | 1 Channel |
| 晶体管极性： | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 30 V |
| Id-连续漏极电流： | 230 A |
| Rds On-漏源导通电阻： | 1.15 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压： | 20 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压： | 1.3 V |
| Qg-栅极电荷： | 82 nC |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 工作温度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 96 W |
| 配置： | Single |
| 通道模式： | Enhancement |
| 封装： | Cut Tape |
| 封装： | MouseReel |
| 封装： | Reel |
| 商标： | ON Semiconductor |
| 正向跨导 - 最小值： | 135 S |
| 下降时间： | 11 ns |
| 产品类型： | MOSFET |
| 上升时间： | 19 ns |
| 工厂包装数量： | 1500 |
| 子类别： | MOSFETs |
| 典型关闭延迟时间： | 42 ns |
| 典型接通延迟时间： | 20 ns |
| 单位重量： | 107.200 mg |
所有评论仅代表网友意见，与本站立场无关。