两者都是功率开关管，场效应管主要用于消费类的电源供应器，部分低功率的工业产品也有採用，而IGBT则主要用于工业用途，比如IGBT高频整流器。因为一般普及的场效应管只可应用于DC650V左右的电压，而超过这个电压的MOSFET，会有比较大的损耗。故此只适合单相输入(AC220~230V)的电器装置，其输出功率一般不会超过3KW。

　　因为消费市场有大量需求，所以MOSFET的价格是非常有竞争力。IGBT可应用的电压在DC1200V以上，它适合三相输入(AC380V)的电器装置，而因为三相的应用，输入电源的电流亦容易达致平衡。

　　所以大功率的高频整流器都是采用IGBT元件，但因为主要用于工业用途，数量不及消费类的产品，所以价格都比较贵。

　　在技术方面，MOSFET的运作频率可高达500K Hz以上，而IGBT一般都不会超过40K Hz。故此，由IGBT组成的高频整流器的体积都是大的；在结构上，内部的零件也比较多。

　　在损耗方面，MOSFET大部分都是它在导通状态下的内阻所构成，而新一代开发的MOSFET内阻都非常低，损耗比较小。IGBT的主体是个晶体管，它的损耗主要来自Vce的电压降(一般在1.7V之间)，故此与MOSFET比较，IGBT损耗会比较大；但它的应用电压高，也是它的优点。

　　过去几年，已开始有厂家生产以碳化硅(Silicon Carbide)为材料的场效应管，在日本已开始应用。它除了有保持低损耗和高频的优点外，还可以工作在超过DC1200V电压的地方。所以，从节能要求来看，在将来的高频整流器市场，碳化硅场效应管很可能会代替IGBT元件。但目前，碳化硅场效应管的价格还是非常高，与现有的场效应管比较，大概在8倍以上。

　　结论

　　(1)在选择开关式电镀高频整流器时，应选有功率因素修正设置的器材。市场上有有源功率因素修正器(A c t i v e Power Factor Correction-PFC)的

整流器，功率因素一般在0.98或以上。

　　(2)一台高频整流器如能集合上述改善损耗的设计，它的整体效率能够增加5%-10%。