我国虽然在半导体芯片行业中落后水平太多，但也在一步一个脚印地前进，不断取得新突破。

据媒体报道，4月11日，由紫光集团家集成电路产业投资基金、湖北集成电路产业投资基金、湖北科投共同投资建设的国家存储器基地项目，芯片生产机台正式进场安装，这标志着国家存储器基地从厂房建设阶段进入量产准备阶段。

紫光在武汉、南京、成都三地都有300mm闪存晶圆厂，这次启动的是武汉工厂，同时募集的800亿元资金也已经全部到位。

紫光集团执行副总裁暨长江存储执行董事长高启全更是披露了一个振奋人心的好消息：长江存储的3D NAND闪存已经获得笔订单，总计10776颗芯片，将用于8GB USD存储卡产品。

紫光集团董事长兼长江存储董事长赵伟国在发言中强调，国家存储器基地项目是中国集成电路闪存芯片产业规模化发展“零”的突破，相当于中国科技领域的航空母舰。

在此之前，基地生产厂房已于2017年9月提前一个月封顶，32层堆叠立体NAND闪存芯片自主研发也取得重大突破，如今又提前20天完成芯片生产机台搬入，就像是航母舾装完毕、开始装配了。

今年底，基地就将实现国产3D闪存的小规模量产，用不了多久就能看到基于国产闪存的智能手机、SSD固态硬盘。

明年，长江存储还将开始64层堆叠闪存，单颗容量128Gb(16GB)。