随着以SiC与GaN为主的第三代半导体应用逐渐落地，被视为第四代之超宽禁带氧化镓（Ga2O3）和钻石等新一代材料，成为下一波瞩目焦点，特别是Ga2O3 在超高功率元件应用有着不容小觑的潜力，而其优势与产业前景又究竟为何？虽然以Si基板为主的组件已主导现今科技产业之IC与相关之电子元件，然而此类产品仍面临许多极限，无论在高功率或是高频元件与系统，除不断精进结构设计外，新兴材料亦推陈出新。特别是第三代半导体以SiC与GaN为主之高功率元件与系统，在大电力与高频元件上被赋予重任，更已陆续应用在相关之产业。尽管如此，被视为第四代之超宽禁带氧化镓（Ga2O3）和钻石等新一代材料，特别是Ga2O3 因其基板制作相较于SiC与GaN更容易，又因为其超宽禁带的特性，使材料所能承受更高电压的崩溃电压和临界电场，使其在超高功率元件之应用潜力。Ga2O3 拥有五种晶相（polymorphs）（monoclinic（β-Ga2O3），rhombohedral（α），defective spinel（γ）， cubic（δ）， or orthorhombic（ε）），且拥有约 4.5-4.9eV 的超宽禁带与临界电场（Ebr）高达 8 MV/cm，相较于GaN 的能隙 3.4eV，SiC 的能隙 3.3eV 都高出许多，在 Barliga 评价（BFOM）宽禁带半导体的系数中 Ga2O3 高达 3444，是 SiC 的十倍、GaN 的四倍，此一系数关系着元件所能承受高电压，由此 BFOM 系数也可以看到 Ga2O3 在高功率元件之应用潜力。Ga2O3 具备许多优良的特性，使其可以应用在许多方面，特别是其宽禁带特性能在功率元件上有显著的应用，诸如电动车、电力系统、风力发电机的涡轮等都是其应用范围。而Ga2O3 的薄膜透明，不仅在光电元件方面可作为透明面板上的组件，光感与气体传感器领域也都可以是其应用范围。也因此Ga2O3 产业前景方面应用广泛，且潜力极大仍有许多组件等待被开发与商业化，可说是很具前瞻性的材料之一！Ga2O3 未来潜力值得期待，不过现阶段仍有许多问题有待克服。
