半导体功率元件正朝着大电流、高电压、快速开关、低功耗、易保护、模块化的方向发展直流高压发生器。随着半导体元件制造技术的提高和制造技术的提高。双极晶体管 GP 功率场效应晶体管 MOSFET 功率绝缘栅控双极晶体管 IGBT IGBT 晶体管是一种综合了 GP 和 MOSFET 优点的复合器件。它具有高输入阻抗、高速度和开关损耗。体积小，驱动电路简单，驱动功率要求低，极限工作温度高，驱动方便。该直流高压发生器稳定运行的方法还具有功率晶体管GP导通电压低、耐压高、电流容量大的优点。压控通断自关断器件具有介于MOSFET和功率晶体管之间的频率特性，可以在几十kHz的频率范围内正常工作。功率元件 IGBT 越来越多地用于小尺寸、低噪声和高性能。高频变频电源和大功率交流伺服电机调速系统中的直流高压发电机在高频大应用中占有主导地位，已开始取代功率双极上述领域中的晶体管GP和功率领域。效应管MOSFET。与GP和MOSFET一样，IGBT应用的关键问题是驱动电路和保护电路。本文基于IGBT在实际工作中的应用，讨论IGBT驱动和保护问题。

电力电子行业占有相当大的比重。目前关于开关电源电磁兼容的文章很多，小功率反激电源是市场上比较成熟的电源之一。但考虑到市场化，低功耗反激电源只采用EMI滤波，没有散热片。考虑可制造性也非常重要。这与纯粹的电磁兼容研究有很大不同。

一种是从封装上表面到空气，集成电路的热阻和晶体管的热阻几乎相同，集成电路（IC散热主要有两个方向。另一种是从IC下来到PCB板，然后从板子转移到空气中，当IC通过自然对流传递热量时，上传到直流高压发生器的部分很小，向下转移到直流高压发生器的部分板子占了大部分，接引脚或焊球。板子的详细散热方式不尽相同，但这会增加制造成本和复杂度。封装热阻的提高可以主要是通过结构设计、材料特性变化和附加散热增强装置，安装影响更大的散热器。

直流高压发生器贴片电感具有以下特点：

1. 平坦的底面适合表面安装。

2、不同端面具有良好的可焊性。低阻抗特性；

3.具有较高的Q值。当低直阻直流高压发电机低速运行时；

4.低漏磁。高电流电阻的特点。方便自动化组装 ；

5. 可提供胶带和包装。普通功率电感器与大电流电感器的区别： 此外，它还有以下特点。大电流电感具有所有贴片功率电感的特性。

直流高压发生器的电感线圈是用粗痛丝和扁丝绕制而成，具有以下特点：

1. 高电流电阻。可承受大电流，可承受更高的80A电流，密封性好，稳定性高；

2、高稳定性、大电流电感采用全封闭磁屏蔽结构。单片直流高压发生器；

3、应用范围广，大电流电感具有的耐候性，可用于电脑主板、显卡等长时间工作的设备。滤波电路等，普通的功率电感只能作为DC-DC模块使用。虽然它们的作用相同，但大电流电感比普通功率电感承担的责任要大得多。凭借的稳定性，目前很多电脑主板厂商都在开发用大电流电感做成的滤波电路。