霍尔效应式位移传感器 - 新世联传感器

早在1879年，物现学家E. H. Hall就发现把通有电流的金属薄片置于垂直于它的 磁场中，在金属薄片的两侧面之间会产生一个电位差——霍尔电势。这种现象被后人称之为“霍尔效应”。由于在导体中“霍尔效应”很微弱，所以一直不为人们所重视。直到本世纪四十 年代后期，半导体技术的不断发展，才发现霍尔效应在高纯度半导体中极为显著。由此人们 对霍尔效应的研究和应用逐步重视起来。并将霍尔效应用于传感器技术中。 

接触式霍尔位移传感器

工作原理   取—块半导体长为l、b、厚度d的半导体置于场强度为B的外磁场 中，当有电流I流过时，则半导体中的电子将受到垂直于B和l方向的洛伦兹力F的作 用。如图1.12.1所示，电子在F的作用下被椎向半导体的一侧，并在该侧面上形成电子 积累,在另一侧形成正电荷积积累，从而在半导体两侧面之间 形成静电场E。此电场产生阻止电子继续向该侧面移动的 电场力F。当电子所受的电 场力F与洛伦兹力大小 相等时，则电子积累达到动态 平衡。这时，在半导体两侧面 之间建立起的电场E所对应的电势就称之为“霍尔电势”。