新一代半导体激光器,利用3D光子晶体的拓扑结构,构造高Q 的半导体谐振腔,实现对激光芯片功率、线宽、调制速率、光束质量、发散角等特性的全面升级,同时综合了EEL的生产便利性和VCSEL的封测便利性,成为性价比全面升级的新一代技术方案。
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新一代半导体激光器,利用3D光子晶体的拓扑结构,构造高Q的半导体谐振腔,实现对激光芯片功率、线宽、调制速率、光束质量、发散角等特性的全面升级,同时综合了EEL的生产便利性和VCSEL的封测便利性,成为性价比全面升级的新一代技术方案
新一代半导体激光器,利用3D光子晶体的拓扑结构,构造高Q 的半导体谐振腔,实现对激光芯片功率、线宽、调制速率、光束质量、发散角等特性的全面升级,同时综合了EEL的生产便利性和VCSEL的封测便利性,成为性价比全面升级的新一代技术方案。
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