日本 KST 株式会社成立于 1998 年，作为日本设计并加工半导体及光通信用硅晶圆以及膜产品的公司，KST 株式会社依赖的热氧化技术可以为客户提供超厚氧化膜的晶圆产品，这些产品能够帮助客户开发新型光通信及 MEMS 器件，并能够极大的提升量产良率。
超厚热氧化膜晶圆
日本KST拥有的厚热氧化膜加工工艺，使热氧化膜厚度快速超过20um。应用于 MEMS，半导体功率器件等方向。
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日本KST株式会社成立于1998年，作为日本设计并加工半导体及光通信用硅晶圆以及膜产品的公司，KST株式会社依赖的热氧化技术可以为客户提供超厚氧化膜的晶圆产品，这些产品能够帮助客户开发新型光通信及MEMS器件，并能够极大的提升量产良率
日本 KST 株式会社成立于 1998 年，作为日本设计并加工半导体及光通信用硅晶圆以及膜产品的公司，KST 株式会社依赖的热氧化技术可以为客户提供超厚氧化膜的晶圆产品，这些产品能够帮助客户开发新型光通信及 MEMS 器件，并能够极大的提升量产良率。
超厚热氧化膜晶圆
日本KST拥有的厚热氧化膜加工工艺，使热氧化膜厚度快速超过20um。应用于 MEMS，半导体功率器件等方向。
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