单晶多晶硅片寿命测试仪是专用为晶圆品质检验,测量少子寿命,测量光电导率和电阻率等研发的晶圆寿命测试仪器。
单晶多晶硅片寿命测试仪MDPmap自动识别样品,参数设置可以使该仪器适应各种样品，包括从生长的晶圆到高达95%的金属化晶圆之间不同制备阶段的各种外延片和晶圆片。
单晶多晶硅片寿命测试仪具有高度的灵活性，它允许集成多达4台激光器，用于从注入到高注入的与注入水平相关的寿命测量，或者通过使用不同的激光波长提取深度信息。
单晶多晶硅片寿命测试仪
灵敏度：对外延工艺监控和不可见缺陷检测，具有可视化测试的分辨率
测量速度：6英寸硅晶圆片，1mm分辨率 ，小于5分钟
寿命测试范围: 20纳秒到几十毫秒
沾污检测：源自坩埚和生长设备的金属(Fe)污染
测量能力：从初始切割的晶圆片到所有工艺加工的样品
灵活性：允许外部激光通过触发器，与探测模块耦合
可靠性： 模块化和紧凑台式仪器，更高可靠性，正常运行时间> 99%
重现性： > 99.5%
电阻率：无需时常校准的电阻率面扫描
单晶多晶硅片寿命测试仪规格参数
样品尺寸
| 5~300mm（300mm为标配，可根据需求提升至450mm）
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寿命范围
| 20ns到几毫秒
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电阻率
| 0.2 - 10^3 Ohm cm P/N
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材质
| 硅晶圆，外延层，部分或*加工晶圆，化合物半导体等
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测量属性
| 少数载流子寿命,光电导性, μ-PCD/MDP (QSS)
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激励源
| 可选四种不同波长（355nm—1480nm），默认980nm
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大小
| 680 x 380 x 450 mm, 重量: 65 kg
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电源要求
| 100-250V，50/60 Hz, 5A
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