硅锭寿命测量仪是的非接触式测量本体寿命的仪器,适合任意生长硅锭表面任意曲率半径硅锭测量寿命。也适合单晶硅硅锭和多晶硅硅锭寿命测量。
硅锭寿命测量仪特点
寿命1-10+ms寿命范围的高纯硅测量
测量B-Cz硅生长，不要表面处理
对于多晶硅模块，可给出寿命和陷阱密度等数据。
探测B-O缺陷，铁污染和表面损伤等
监控初始材料在Cz, Fz,多多晶硅或UMG硅的质量
硅锭寿命测量仪规格参数
测量指标：寿命，电阻率和trap density
寿命测量范围：100ns~10ms
电阻率测量范围：0.5~300Ohm-cm
测量分析模式：QSSPC,瞬态，寿命分析
光偏置范围：0-50suns
样品表面：平整表面或者150mm直径以内的多种表面
典型校准范围：10^13-10^16 cm^-3
光谱：白光和IR光照明
传感器面积：45x 15mm
测量深度：3mm
工作温度：20~25度
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