产品简介
技术参数品牌：Onsemi型号：FGP15N60UNDF批号：21+封装：TO-247数量：1000QQ：制造商：ONSemiconductor产品种类：IGBT晶体管RoHS：是封装/箱体：TO-220-3安装风格：ThroughHole配置：Single集电极—发射极电压VCEO：600V集电极—射极饱和电压：2
详情介绍
技术参数
| 品牌： | Onsemi |
| 型号： | FGP15N60UNDF |
| 批号： | 21+ |
| 封装： | TO-247 |
| 数量： | 1000 |
| QQ： | |
| 制造商： | ON Semiconductor |
| 产品种类： | IGBT 晶体管 |
| RoHS： | 是 |
| 封装 / 箱体： | TO-220-3 |
| 安装风格： | Through Hole |
| 配置： | Single |
| 集电极—发射极电压 VCEO： | 600 V |
| 集电极—射极饱和电压： | 2.7 V |
| 栅极/发射极电压： | 20 V |
| 在25 C的连续集电极电流： | 30 A |
| Pd-功率耗散： | 178 W |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 工作温度： | + 150 C |
| 系列： | FGP15N60UNDF |
| 栅极—射极漏泄电流： | +/- 10 uA |
| 单位重量： | 1.800 g |
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