技术参数
| 品牌： | Onsemi |
| 型号： | NVMFD5C462NLT1G |
| 批号： | 21+ |
| 封装： | DFN |
| 数量： | 30000 |
| QQ： | |
| 制造商： | ON Semiconductor |
| 产品种类： | MOSFET |
| 技术： | 详细信息 |
| 安装风格： | Si |
| 封装 / 箱体： | SMD/SMT |
| 晶体管极性： | DFN-8 |
| 通道数量： | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 2 Channel |
| Id-连续漏极电流： | 40 V |
| Rds On-漏源导通电阻： | 84 A |
| Vgs - 栅极-源极电压： | 3.9 mOhms, 3.9 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压： | 20 V |
| Qg-栅极电荷： | 1.2 V |
| 最小工作温度： | 23 nC, 23 nC |
| 工作温度： | - 55 C |
| Pd-功率耗散： | + 175 C |
| 通道模式： | 50 W |
| 资格： | Enhancement |
| 封装： | AEC-Q101 |
| 封装： | Cut Tape |
| 封装： | MouseReel |
所有评论仅代表网友意见，与本站立场无关。