产品简介
技术参数品牌：Onsemi型号：FDP023N08B-F102批号：21+封装：TO-220数量：1000QQ：制造商：ONSemiconductor系列：PowerTrench®FET类型：N通道技术：MOSFET（金属氧化物）25°C时电流-连续漏极(Id)：120A（Tc）驱动电压（RdsOn
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技术参数
| 品牌： | Onsemi |
| 型号： | FDP023N08B-F102 |
| 批号： | 21+ |
| 封装： | TO-220 |
| 数量： | 1000 |
| QQ： | |
| 制造商： | ON Semiconductor |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 类型： | N 通道 |
| 技术： | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： | 120A（Tc） |
| 驱动电压（ Rds On，最小 Rds On）： | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（值）： | 2.35 毫欧 @ 75A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（值）： | 3.8V @ 250µA |
| Vgs（值）： | ±20V |
| 功率耗散（值）： | 245W（Tc） |
| 工作温度： | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型： | 通孔 |
| 供应商器件封装： | TO-220-3 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 漏源电压（Vdss）： | 75V |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（值）： | 195nC @ 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（值）： | 13765pF @ 37.5V |
| 基本产品编号： | FDP023 |
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