产品简介
技术参数品牌：Onsemi型号：MMBFJ177LT1G批号：21+封装：SOT-23数量：60000QQ：制造商：ONSemiconductorFET类型：P通道不同Vds时输入电容(Ciss)（值）：11pF@10V（VGS）工作温度：-55°C~150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳：TO-236-3
详情介绍
技术参数
| 品牌： | Onsemi |
| 型号： | MMBFJ177LT1G |
| 批号： | 21+ |
| 封装： | SOT-23 |
| 数量： | 60000 |
| QQ： | |
| 制造商： | ON Semiconductor |
| FET 类型： | P 通道 |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（值）： | 11pF @ 10V（VGS） |
| 工作温度： | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型： | 表面贴装型 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商器件封装： | SOT-23-3（TO-236） |
| 电压 - 击穿 (V(BR)GSS)： | 30 V |
| 电阻 - RDS(On)： | 300 Ohms |
| 功率 - 值： | 225 mW |
| 不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)： | 1.5 mA @ 15 V |
| 不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)： | 800 mV @ 10 nA |
| 基本产品编号： | MMBFJ177 |
- 上一篇： Onsemi 隔离式栅极驱动器 FOD3180SD
- 下一篇： Onsemi 通用比较器 NCV2903DR2G 模拟比
所有评论仅代表网友意见，与本站立场无关。