产品简介
技术参数品牌:Onsemi型号:NVR5198NLT1G批号:21+封装:SOT23数量:60000QQ:制造商:ONSemiconductor产品种类:MOSFETRoHS:是技术:Si安装风格:SMD/SMT封装/箱体:SOT-23-3通道数量:1Channel晶体管极性:N-ChannelVds-漏源极击穿电压:60VId-连续漏极电流:2
详情介绍

技术参数
品牌: | Onsemi |
型号: | NVR5198NLT1G |
批号: | 21+ |
封装: | SOT23 |
数量: | 60000 |
QQ: | |
制造商: | ON Semiconductor |
产品种类: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
技术: | Si |
安装风格: | SMD/SMT |
封装 / 箱体: | SOT-23-3 |
通道数量: | 1 Channel |
晶体管极性: | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压: | 60 V |
Id-连续漏极电流: | 2.2 A |
Rds On-漏源导通电阻: | 155 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压: | 10 V |
Vgs th-栅源极阈值电压: | 1.5 V |
Qg-栅极电荷: | 5.1 nC |
最小工作温度: | - 55 C |
工作温度: | + 150 C |
Pd-功率耗散: | 1.5 W |
配置: | Single |
通道模式: | Enhancement |
资格: | AEC-Q101 |
封装: | Cut Tape |
封装: | MouseReel |
封装: | Reel |
系列: | NVR5198NL |
晶体管类型: | 1 N-Channel |
商标: | ON Semiconductor |
正向跨导 - 最小值: | 3 S |
下降时间: | 2 ns |
产品类型: | MOSFET |
上升时间: | 7 ns |
工厂包装数量: | 3000 |
子类别: | MOSFETs |
典型关闭延迟时间: | 13 ns |
典型接通延迟时间: | 5 ns |
单位重量: | 8 mg |
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