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当前位置:深圳市博奕泰电子科技有限公司>>晶体管>>其他晶体管>> NVR5198NLT1GOnsemi 场效应管 NVR5198NLT1G MOSFET Pwr MOSFET 60V 2.2A 155mOhm SGL N-CH

Onsemi 场效应管 NVR5198NLT1G MOSFET Pwr MOSFET 60V 2.2A 155mOhm SGL N-CH

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参  考  价:面议
具体成交价以合同协议为准
  • 产品型号:NVR5198NLT1G
  • 品牌:
  • 产品类别:RF晶体管
  • 所在地:
  • 信息完整度:
  • 样本:
  • 更新时间:2023-11-22 07:37:11
  • 浏览次数:6
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  • 经营模式:其他
  • 商铺产品:837条
  • 所在地区:
  • 注册时间:2023-11-21
  • 最近登录:2023-11-21
  • 联系人:林春绵
产品简介

技术参数品牌:Onsemi型号:NVR5198NLT1G批号:21+封装:SOT23数量:60000QQ:制造商:ONSemiconductor产品种类:MOSFETRoHS:是技术:Si安装风格:SMD/SMT封装/箱体:SOT-23-3通道数量:1Channel晶体管极性:N-ChannelVds-漏源极击穿电压:60VId-连续漏极电流:2

详情介绍


技术参数

品牌:Onsemi
型号:NVR5198NLT1G
批号:21+
封装:SOT23
数量:60000
QQ:
制造商:ON Semiconductor
产品种类:MOSFET
RoHS:
技术:Si
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:SOT-23-3
通道数量:1 Channel
晶体管极性:N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:60 V
Id-连续漏极电流:2.2 A
Rds On-漏源导通电阻:155 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:10 V
Vgs th-栅源极阈值电压:1.5 V
Qg-栅极电荷:5.1 nC
最小工作温度:- 55 C
工作温度:+ 150 C
Pd-功率耗散:1.5 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
资格:AEC-Q101
封装:Cut Tape
封装:MouseReel
封装:Reel
系列:NVR5198NL
晶体管类型:1 N-Channel
商标:ON Semiconductor
正向跨导 - 最小值:3 S
下降时间:2 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:7 ns
工厂包装数量:3000
子类别:MOSFETs
典型关闭延迟时间:13 ns
典型接通延迟时间:5 ns
单位重量:8 mg
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