技术参数
品牌: | Onsemi |
型号: | NCV8406ASTT1G |
批号: | 21+ |
封装: | 0 |
数量: | 20000 |
QQ: | |
制造商: | ON Semiconductor |
产品种类: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
技术: | Si |
安装风格: | SMD/SMT |
封装 / 箱体: | SOT-223-4 |
通道数量: | 1 Channel |
晶体管极性: | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压: | 65 V |
Id-连续漏极电流: | 7 A |
Rds On-漏源导通电阻: | 210 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压: | 14 V |
Vgs th-栅源极阈值电压: | 2 V |
最小工作温度: | - 40 C |
工作温度: | + 150 C |
Pd-功率耗散: | 1.25 W |
配置: | Single |
通道模式: | Enhancement |
资格: | AEC-Q101 |
封装: | Cut Tape |
封装: | MouseReel |
封装: | Reel |
产品: | MOSFET Gate Drivers |
系列: | NCV8406A |
晶体管类型: | 1 N-Channel |
类型: | Low Side |
商标: | ON Semiconductor |
下降时间: | 692 ns |
产品类型: | MOSFET |
上升时间: | 486 ns |
工厂包装数量: | 1000 |
子类别: | MOSFETs |
典型关闭延迟时间: | 1600 ns |
典型接通延迟时间: | 127 ns |
单位重量: | 250 mg |
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