技术参数
| 品牌： | Onsemi |
| 型号： | NCV8406ASTT1G |
| 批号： | 21+ |
| 封装： | 0 |
| 数量： | 20000 |
| QQ： | |
| 制造商： | ON Semiconductor |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 技术： | Si |
| 安装风格： | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体： | SOT-223-4 |
| 通道数量： | 1 Channel |
| 晶体管极性： | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 65 V |
| Id-连续漏极电流： | 7 A |
| Rds On-漏源导通电阻： | 210 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压： | 14 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压： | 2 V |
| 最小工作温度： | - 40 C |
| 工作温度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 1.25 W |
| 配置： | Single |
| 通道模式： | Enhancement |
| 资格： | AEC-Q101 |
| 封装： | Cut Tape |
| 封装： | MouseReel |
| 封装： | Reel |
| 产品： | MOSFET Gate Drivers |
| 系列： | NCV8406A |
| 晶体管类型： | 1 N-Channel |
| 类型： | Low Side |
| 商标： | ON Semiconductor |
| 下降时间： | 692 ns |
| 产品类型： | MOSFET |
| 上升时间： | 486 ns |
| 工厂包装数量： | 1000 |
| 子类别： | MOSFETs |
| 典型关闭延迟时间： | 1600 ns |
| 典型接通延迟时间： | 127 ns |
| 单位重量： | 250 mg |
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