技术参数
品牌: | Onsemi |
型号: | FCH099N60E |
批号: | 21+ |
封装: | TO-247 |
数量: | 600 |
QQ: | |
制造商: | ON Semiconductor |
产品种类: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
技术: | Si |
安装风格: | Through Hole |
封装 / 箱体: | TO-247-3 |
晶体管极性: | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压: | 600 V |
Id-连续漏极电流: | 37 A |
Rds On-漏源导通电阻: | 87 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压: | 30 V |
Vgs th-栅源极阈值电压: | 3.5 V |
Qg-栅极电荷: | 114 nC |
最小工作温度: | - 55 C |
工作温度: | + 150 C |
Pd-功率耗散: | 357 W |
通道模式: | Enhancement |
商标名: | SuperFET II |
封装: | Tube |
高度: | 20.82 mm |
长度: | 15.87 mm |
系列: | FCH099N60E |
宽度: | 4.82 mm |
商标: | ON Semiconductor / Fairchild |
正向跨导 - 最小值: | 31.4 S |
下降时间: | 22 ns |
产品类型: | MOSFET |
上升时间: | 23 ns |
工厂包装数量: | 450 |
子类别: | MOSFETs |
典型关闭延迟时间: | 92 ns |
典型接通延迟时间: | 24 ns |
单位重量: | 6.390 g |
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