您好，欢迎来到欧亚贸易网！请 |免费注册

产品展厅本站服务收藏该商铺

行业产品


深圳市博奕泰电子科技有限公司

免费会员
手机逛
深圳市博奕泰电子科技有限公司
当前位置：深圳市博奕泰电子科技有限公司>>晶体管>>其他晶体管>> FQA28N50Onsemi 场效应管 FQA28N50 通孔 N 通道 500V 28.4A（Tc） 310W（Tc） TO-3P
Onsemi 场效应管 FQA28N50 通孔 N 通道 500V 28.4A（Tc） 310W（Tc） TO-3P
Onsemi 场效应管 FQA28N50 通孔 N 通道 500V 28.4A（Tc） 310W（Tc） TO-3P
Onsemi 场效应管 FQA28N50 通孔 N 通道 500V 28.4A（Tc） 310W（Tc） TO-3P

Onsemi 场效应管 FQA28N50 通孔 N 通道 500V 28.4A（Tc） 310W（Tc） TO-3P

产品二维码
参  考  价:面议
具体成交价以合同协议为准
  • 产品型号：FQA28N50
  • 品牌：
  • 产品类别：RF晶体管
  • 所在地：
  • 信息完整度：
  • 样本：
  • 更新时间：2023-11-21 20:04:39
  • 浏览次数：4
在线询价 查看联系电话 收藏产品 进入展台
收藏
举报

联系我时，请告知来自 欧亚贸易网

索取相关资料

深圳市博奕泰电子科技有限公司

其他

  • 经营模式：其他
  • 商铺产品：837条
  • 所在地区：
  • 注册时间：2023-11-21
  • 最近登录：2023-11-21
  • 联系人：林春绵

产品分类品牌分类

产品简介

技术参数品牌：Onsemi型号：FQA28N50批号：21+封装：TO-3P数量：600QQ：制造商：ONSemiconductor系列：QFET®FET类型：N通道技术：MOSFET（金属氧化物）25°C时电流-连续漏极(Id)：28.4A（Tc）驱动电压（RdsOn

详情介绍


技术参数

品牌：Onsemi
型号：FQA28N50
批号：21+
封装：TO-3P
数量：600
QQ：
制造商：ON Semiconductor
系列：QFET®
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：28.4A（Tc）
驱动电压（ Rds On，最小 Rds On）：10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（值）：160 毫欧 @ 14.2A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（值）：5V @ 250µA
Vgs（值）：±30V
功率耗散（值）：310W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：通孔
供应商器件封装：TO-3P
封装/外壳：TO-3P-3，SC-65-3
漏源电压（Vdss）：500 V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（值）：140 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（值）：5600 pF @ 25 V
基本产品编号：FQA2
上一篇： Onsemi 场效应管 FDMS86300DC
下一篇： Onsemi NTSAF345T3G 肖特基二极管与整
同类优质产品

在线询价

X

已经是会员？点击这里 [登录] 直接获取联系方式

会员登录

X

请输入账号

请输入密码

=

请输验证码

收藏该商铺

X
该信息已收藏！
查看我的收藏夹设置标签
标签：
保存成功

(空格分隔,最多3个,单个标签最多10个字符)

常用：

提示

X
您的留言已提交成功！我们将在第一时间回复您~

欧亚贸易网 设计制作，未经允许翻录必究 .Copyright(C) https://www.asia-eur.cn,All rights reserved.

以上信息由企业自行提供，信息内容的真实性、准确性和合法性由相关企业负责，欧亚贸易网对此不承担任何保证责任。
温馨提示：为规避购买风险，建议您在购买产品前务必确认供应商资质及产品质量。