产品简介
技术参数品牌：VISHAY型号：SI7540DP-T1-E3封装：QFN8批次：2021+数量：6515对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况：无铅/符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求湿气敏感性等级（MSL）：1（无限）类别：分立半导体产品产品族：晶体管-FET
详情介绍
技术参数
| 品牌： | VISHAY |
| 型号： | SI7540DP-T1-E3 |
| 封装： | QFN8 |
| 批次： | 2021+ |
| 数量： | 6515 |
| 对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况： | 无铅/符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求 |
| 湿气敏感性等级 （MSL）： | 1（无限） |
| 类别： | 分立半导体产品 |
| 产品族： | 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 类型： | N 和 P 沟道 |
| FET 功能： | 逻辑电平门 |
| 漏源电压（Vdss）： | 12V |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： | ， |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）： | 17 毫欧 @ ， |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（值）： | @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）： | 17nC @ |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）： | - |
| 功率 - 值： | |
| 工作温度： | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型： | 表面贴装型 |
| 封装/外壳： | PowerPAK® SO-8 双 |
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