技术参数
| 品牌： | ROHM |
| 型号： | US6J2TR |
| 封装： | TUMT6 |
| 批次： | 2021+ |
| 数量： | 6515 |
| 制造商： | ROHM Semiconductor |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 技术： | Si |
| 安装风格： | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体： | SOT-363T-6 |
| 晶体管极性： | P-Channel |
| 通道数量： | 2 Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 20 V |
| Id-连续漏极电流： | 1 A |
| Rds On-漏源导通电阻： | 570 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压： | 12 V |
| Pd-功率耗散： | 1 W |
| 通道模式： | Enhancement |
| 配置： | Dual |
| 高度： | mm |
| 长度： | 2 mm |
| 系列： | US6J2 |
| 晶体管类型： | 2 P-Channel |
| 类型： | MOSFET |
| 宽度： | mm |
| 商标： | ROHM Semiconductor |
| 下降时间： | 10 ns |
| 产品类型： | MOSFET |
| 上升时间： | 8 ns |
| 工厂包装数量： | 3000 |
| 子类别： | MOSFETs |
| 典型关闭延迟时间： | 25 ns |
| 典型接通延迟时间： | 9 ns |
| 零件号别名： | US6J2 |
| 单位重量： | mg |
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