技术参数
| 品牌： | FAIRCHILD |
| 型号： | FDB150N10 |
| 封装： | TO263 |
| 批次： | 2021+ |
| 数量： | 6515 |
| 制造商： | ON Semiconductor |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 技术： | Si |
| 安装风格： | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体： | TO-263-3 |
| 通道数量： | 1 Channel |
| 晶体管极性： | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 100 V |
| Id-连续漏极电流： | 57 A |
| Rds On-漏源导通电阻： | 15 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压： | 20 V |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 工作温度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 110 W |
| 配置： | Single |
| 通道模式： | Enhancement |
| 商标名： | PowerTrench |
| 高度： | mm |
| 长度： | mm |
| 系列： | FDB150N10 |
| 晶体管类型： | 1 N-Channel |
| 宽度： | mm |
| 商标： | ON Semiconductor / Fairchild |
| 下降时间： | 83 ns |
| 产品类型： | MOSFET |
| 上升时间： | 164 ns |
| 工厂包装数量： | 800 |
| 子类别： | MOSFETs |
| 典型关闭延迟时间： | 86 ns |
| 典型接通延迟时间： | 47 ns |
| 单位重量： | g |
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