产品简介
技术参数品牌：VISHAY型号：SI7100DN-T1-E3封装：QFN8批次：2021+数量：6515制造商：VishaySiliconix系列：TrenchFET®FET类型：N通道技术：MOSFET（金属氧化物）25°C时电流-连续漏极(Id)：35A（Tc）驱动电压（RdsOn
详情介绍
技术参数
| 品牌： | VISHAY |
| 型号： | SI7100DN-T1-E3 |
| 封装： | QFN8 |
| 批次： | 2021+ |
| 数量： | 6515 |
| 制造商： | Vishay Siliconix |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 类型： | N 通道 |
| 技术： | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： | 35A（Tc） |
| 驱动电压（ Rds On，最小 Rds On）： | ， |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（值）： | 毫欧 @ 15A， |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（值）： | 1V @ 250µA |
| Vgs（值）： | ±8V |
| 功率耗散（值）： | （Ta），52W（Tc） |
| 工作温度： | -50°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型： | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装： | PowerPAK® 1212-8 |
| 封装/外壳： | PowerPAK® 1212-8 |
| 漏源电压（Vdss）： | 8 V |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（值）： | 105 nC @ 8 V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（值）： | 3810 pF @ 4 V |
| 基本产品编号： | SI7100 |
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