产品简介
技术参数品牌:VISHAY型号:IRF830APBF封装:TO220批次:2021+数量:6515类别:分立半导体产品晶体管-FET
详情介绍

技术参数
品牌: | VISHAY |
型号: | IRF830APBF |
封装: | TO220 |
批次: | 2021+ |
数量: | 6515 |
类别: | 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 |
制造商: | Vishay Siliconix |
FET 类型: | N 通道 |
漏源电压(Vdss): | 500 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 5A(Tc) |
驱动电压( Rds On,最小 Rds On): | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(值): | 欧姆 @ 3A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(值): | @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(值): | 24 nC @ 10 V |
Vgs(值): | ±30V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(值): | 620 pF @ 25 V |
功率耗散(值): | 74W(Tc) |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 通孔 |
封装/外壳: | TO-220-3 |
- 上一篇: FC1203N-GP 电子元器件 KTC 封装TQFP10
- 下一篇: LM4041CIM3X-ADJ 电子元器件 NS 封装SO
所有评论仅代表网友意见,与本站立场无关。