用于电子显微镜的样品通常受益于薄膜的添加。它通常是导电材料，例如Pt，Pd或Au。这些导电层有助于抑制电荷，减少局部光束加热引起的热损伤，并改善二次电子信号。

传统上，这些薄膜是使用PVD技术生长的。随着技术的进步，某些类型的样品不能通过PVD提供，因为需要涂层的特征无法进入现场生长线。

研究人员将受益于ALD生长的导电薄膜，因为已经开发出针对小样品导电金属生长进行了优化的系统（与台式溅射的价格点相同） 

为保形导电薄膜提供了用于 3D 样品制备的解决方案，同时还提供目前使用溅射/蒸发生长的传统 2D 镀膜。我们不仅突破了界限，而且是当前样品制备过程的有效替代品，所有这些都在台式配置中，价格相当。

热ALD / PEALD

沉积工艺：
金属：Ru、Ti、Co、…

氧化物：Al2O3、HfO2、TiO2、SnO2、NiOx、ZnO、ZrO、SiO2、RuO、，。。。

氮化物：TiN、TaN等，。。

基板尺寸：工件Z大为6英寸

源注入：双型喷头

基板加热器温度：RT至Z高350℃（@晶片）

前躯体化学源数量：3套

源瓶加热：RT至150℃

射频功率：600W@13.56Mhz

极限压力：≤5.0×10-3乇

泵：干式泵或旋转泵

沉积均匀度：≤±3%

系统控制：PC控制（UPRO软件）

可选 源瓶加热温度200℃

尺寸（宽*长*高）850mm*720mm*600mm