技术参数
| 品牌： | Onsemi |
| 型号： | NTZS3151PT1G |
| 批号： | 21+ |
| 封装： | SOT563 |
| 数量： | 80000 |
| QQ： | |
| 制造商： | ON Semiconductor |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 技术： | Si |
| 安装风格： | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体： | SOT-563-6 |
| 晶体管极性： | P-Channel |
| 通道数量： | 1 Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 20 V |
| Id-连续漏极电流： | 950 mA |
| Rds On-漏源导通电阻： | 195 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压： | - 8 V, + 8 V |
| Qg-栅极电荷： | 5.6 nC |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 工作温度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 170 mW |
| 通道模式： | Enhancement |
| 封装： | Cut Tape |
| 封装： | MouseReel |
| 封装： | Reel |
| 配置： | Single |
| 高度： | 0.55 mm |
| 长度： | 1.6 mm |
| 产品： | MOSFET Small Signal |
| 系列： | NTZS3151P |
| 晶体管类型： | 1 P-Channel |
| 宽度： | 1.2 mm |
| 商标： | ON Semiconductor |
| 下降时间： | 12 ns |
| 产品类型： | MOSFET |
| 上升时间： | 12 ns |
| 工厂包装数量： | 4000 |
| 子类别： | MOSFETs |
| 典型关闭延迟时间： | 23.7 ns |
| 典型接通延迟时间： | 5 ns |
| 单位重量： | 3 mg |
所有评论仅代表网友意见，与本站立场无关。