技术参数
| 品牌： | Onsemi |
| 型号： | NVMFS4C05NT1G |
| 批号： | 21+ |
| 封装： | DFN-8 |
| 数量： | 30000 |
| QQ： | |
| 制造商： | ON Semiconductor |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 技术： | Si |
| 安装风格： | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体： | SO-8 |
| 晶体管极性： | N-Channel |
| 通道数量： | 1 Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 30 V |
| Id-连续漏极电流： | 116 A |
| Rds On-漏源导通电阻： | 3.4 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压： | 20 V |
| Qg-栅极电荷： | 30 nC |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 工作温度： | + 175 C |
| Pd-功率耗散： | 3.61 W |
| 通道模式： | Enhancement |
| 资格： | AEC-Q101 |
| 封装： | Cut Tape |
| 封装： | Reel |
| 配置： | Single |
| 系列： | NVMFS4C05N |
| 商标： | ON Semiconductor |
| 产品类型： | MOSFET |
| 工厂包装数量： | 1500 |
| 子类别： | MOSFETs |
| 单位重量： | 107.200 mg |
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