技术参数
| 品牌： | Onsemi |
| 型号： | SMMBT2369LT1G |
| 批号： | 21+ |
| 封装： | N/A |
| 数量： | 60000 |
| QQ： | |
| 制造商： | ON Semiconductor |
| 产品种类： | 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) |
| RoHS： | 是 |
| 安装风格： | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体： | SOT-23-3 |
| 晶体管极性： | NPN |
| 配置： | Single |
| 集电极—发射极电压 VCEO： | 15 V |
| 集电极—基极电压 VCBO： | 40 V |
| 发射极 - 基极电压 VEBO： | 4.5 V |
| 集电极—射极饱和电压： | 0.3 V |
| 直流电集电极电流： | 200 mA |
| Pd-功率耗散： | 300 mW |
| 增益带宽产品fT： | 300 MHz |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 工作温度： | + 150 C |
| 系列： | MMBT2369L |
| 封装： | Cut Tape |
| 封装： | MouseReel |
| 封装： | Reel |
| 直流电流增益 hFE 值： | 120 |
| 技术： | Si |
| 商标： | ON Semiconductor |
| 集电极连续电流： | 200 mA |
| 直流集电极/Base Gain hfe Min： | 20 |
| 产品类型： | BJTs - Bipolar Transistors |
| 资格： | AEC-Q101 |
| 工厂包装数量： | 3000 |
| 子类别： | Transistors |
| 单位重量： | 112 mg |
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