技术参数
品牌: | Onsemi |
型号: | FDP030N06 |
批号: | 21+ |
封装: | N/A |
数量: | 1000 |
QQ: | |
制造商: | ON Semiconductor |
产品种类: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
技术: | Si |
安装风格: | Through Hole |
封装 / 箱体: | TO-220-3 |
通道数量: | 1 Channel |
晶体管极性: | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压: | 60 V |
Id-连续漏极电流: | 193 A |
Rds On-漏源导通电阻: | 3.2 mOhms |
最小工作温度: | - 55 C |
工作温度: | + 175 C |
Pd-功率耗散: | 231 W |
配置: | Single |
商标名: | PowerTrench |
封装: | Tube |
高度: | 16.3 mm |
长度: | 10.67 mm |
系列: | FDP030N06 |
晶体管类型: | 1 N-Channel |
类型: | N-Channel MOSFET |
宽度: | 4.7 mm |
商标: | ON Semiconductor / Fairchild |
正向跨导 - 最小值: | 154 S |
下降时间: | 33 ns |
产品类型: | MOSFET |
上升时间: | 178 ns |
工厂包装数量: | 1000 |
子类别: | MOSFETs |
典型关闭延迟时间: | 54 ns |
典型接通延迟时间: | 39 ns |
单位重量: | 2.421 g |
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