技术参数
| 品牌： | Onsemi |
| 型号： | FDP030N06 |
| 批号： | 21+ |
| 封装： | N/A |
| 数量： | 1000 |
| QQ： | |
| 制造商： | ON Semiconductor |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 技术： | Si |
| 安装风格： | Through Hole |
| 封装 / 箱体： | TO-220-3 |
| 通道数量： | 1 Channel |
| 晶体管极性： | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 60 V |
| Id-连续漏极电流： | 193 A |
| Rds On-漏源导通电阻： | 3.2 mOhms |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 工作温度： | + 175 C |
| Pd-功率耗散： | 231 W |
| 配置： | Single |
| 商标名： | PowerTrench |
| 封装： | Tube |
| 高度： | 16.3 mm |
| 长度： | 10.67 mm |
| 系列： | FDP030N06 |
| 晶体管类型： | 1 N-Channel |
| 类型： | N-Channel MOSFET |
| 宽度： | 4.7 mm |
| 商标： | ON Semiconductor / Fairchild |
| 正向跨导 - 最小值： | 154 S |
| 下降时间： | 33 ns |
| 产品类型： | MOSFET |
| 上升时间： | 178 ns |
| 工厂包装数量： | 1000 |
| 子类别： | MOSFETs |
| 典型关闭延迟时间： | 54 ns |
| 典型接通延迟时间： | 39 ns |
| 单位重量： | 2.421 g |
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