技术参数
| 品牌： | Onsemi |
| 型号： | FDMS86350 |
| 批号： | 21+ |
| 封装： | QFN8 |
| 数量： | 60000 |
| QQ： | |
| 描述： | MOSFET N-CH 80V 80A POWER56 |
| 对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况： | 无铅/符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求 |
| 湿气敏感性等级 （MSL）： | 1（无限） |
| 原厂标准交货期： | 16 周 |
| 详细描述： | 表面贴装型-N-通道-80V-25A（Ta）-130A（Tc）-2.7W（Ta）-156W（Tc）-Power56 |
| 数据列表： | FDMS86350; |
| 标准包装： | 3,000 |
| 包装： | 标准卷带 |
| 零件状态： | 有源 |
| 类别： | 分立半导体产品 |
| 产品族： | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 |
| 系列： | PowerTrench® |
| 其它名称： | FDMS86350TR |
| FET 类型： | N 通道 |
| 技术： | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）： | 80V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： | 25A（Ta），130A（Tc） |
| 驱动电压（ Rds On，最小 Rds On）： | 8V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（值）： | 2.4 毫欧 @ 25A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（值）： | 4.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（值）： | 155nC @ 10V |
| Vgs（值）： | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（值）： | 10680pF @ 40V |
| FET 功能： | - |
| 功率耗散（值）： | 2.7W（Ta），156W（Tc） |
| 工作温度： | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型： | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装： | Power56 |
| 封装/外壳： | 8-PowerTDFN |
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