技术参数
| 品牌： | Onsemi |
| 型号： | MMBT5551M3T5G |
| 批号： | 21+ |
| 封装： | N/A |
| 数量： | 160000 |
| QQ： | |
| 制造商： | ON Semiconductor |
| 产品种类： | 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) |
| RoHS： | 是 |
| 安装风格： | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体： | SOT-723-3 |
| 晶体管极性： | NPN |
| 配置： | Single |
| 集电极—发射极电压 VCEO： | 160 V |
| 集电极—基极电压 VCBO： | 180 V |
| 发射极 - 基极电压 VEBO： | 6 V |
| 直流电集电极电流： | 0.06 A |
| Pd-功率耗散： | 640 mW |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 工作温度： | + 150 C |
| 系列： | MMBT5551M3 |
| 封装： | Cut Tape |
| 封装： | MouseReel |
| 封装： | Reel |
| 直流电流增益 hFE 值： | 80 at 1 mA, 5 V |
| 高度： | 0.5 mm |
| 长度： | 1.2 mm |
| 技术： | Si |
| 宽度： | 0.8 mm |
| 商标： | ON Semiconductor |
| 直流集电极/Base Gain hfe Min： | 80 at 1 mA, 5 V, 80 at 10 mA, 5 V, 30 at 50 mA, 5 V |
| 产品类型： | BJTs - Bipolar Transistors |
| 工厂包装数量： | 8000 |
| 子类别： | Transistors |
| 单位重量： | 1.275 mg |
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