技术参数
品牌: | Onsemi |
型号: | MMBT5551M3T5G |
批号: | 21+ |
封装: | N/A |
数量: | 160000 |
QQ: | |
制造商: | ON Semiconductor |
产品种类: | 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) |
RoHS: | 是 |
安装风格: | SMD/SMT |
封装 / 箱体: | SOT-723-3 |
晶体管极性: | NPN |
配置: | Single |
集电极—发射极电压 VCEO: | 160 V |
集电极—基极电压 VCBO: | 180 V |
发射极 - 基极电压 VEBO: | 6 V |
直流电集电极电流: | 0.06 A |
Pd-功率耗散: | 640 mW |
最小工作温度: | - 55 C |
工作温度: | + 150 C |
系列: | MMBT5551M3 |
封装: | Cut Tape |
封装: | MouseReel |
封装: | Reel |
直流电流增益 hFE 值: | 80 at 1 mA, 5 V |
高度: | 0.5 mm |
长度: | 1.2 mm |
技术: | Si |
宽度: | 0.8 mm |
商标: | ON Semiconductor |
直流集电极/Base Gain hfe Min: | 80 at 1 mA, 5 V, 80 at 10 mA, 5 V, 30 at 50 mA, 5 V |
产品类型: | BJTs - Bipolar Transistors |
工厂包装数量: | 8000 |
子类别: | Transistors |
单位重量: | 1.275 mg |
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