技术参数
| 品牌： | Onsemi |
| 型号： | NTJD5121NT1G |
| 批号： | 21+ |
| 封装： | SOT-363 |
| 数量： | 60000 |
| QQ： | |
| 制造商： | ON Semiconductor |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安装风格： | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体： | SC-88-6 |
| 通道数量： | 2 Channel |
| 晶体管极性： | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 60 V |
| Id-连续漏极电流： | 295 mA |
| Rds On-漏源导通电阻： | 1.6 Ohms |
| Vgs - 栅极-源极电压： | 20 V |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 工作温度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 250 mW |
| 配置： | Dual |
| 通道模式： | Enhancement |
| 高度： | 0.9 mm |
| 长度： | 2 mm |
| 系列： | NTJD5121N |
| 晶体管类型： | 2 N-Channel |
| 宽度： | 1.25 mm |
| 下降时间： | 32 ns |
| 上升时间： | 34 ns |
| 典型关闭延迟时间： | 34 ns |
| 典型接通延迟时间： | 22 ns |
| 单位重量： | 6 mg |
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