产品简介
技术参数品牌：Onsemi型号：NTMS4916NR2G批号：21+封装：N/A数量：50000QQ：制造商：ONSemiconductor产品种类：MOSFETRoHS：是技术：Si安装风格：SMD/SMT封装/箱体：SOIC-8晶体管极性：N-ChannelVds-漏源极击穿电压：30VId-连续漏极电流：11
详情介绍
技术参数
| 品牌： | Onsemi |
| 型号： | NTMS4916NR2G |
| 批号： | 21+ |
| 封装： | N/A |
| 数量： | 50000 |
| QQ： | |
| 制造商： | ON Semiconductor |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 技术： | Si |
| 安装风格： | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体： | SOIC-8 |
| 晶体管极性： | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 30 V |
| Id-连续漏极电流： | 11.6 A |
| Rds On-漏源导通电阻： | 12 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压： | 2.5 V |
| Qg-栅极电荷： | 15 nC |
| Pd-功率耗散： | 1.3 W |
| 封装： | Cut Tape |
| 封装： | MouseReel |
| 封装： | Reel |
| 系列： | NTMS4916N |
| 商标： | ON Semiconductor |
| 正向跨导 - 最小值： | 23 S |
| 下降时间： | 15.6 ns |
| 产品类型： | MOSFET |
| 上升时间： | 7.4 ns |
| 工厂包装数量： | 2500 |
| 子类别： | MOSFETs |
| 单位重量： | 506.600 mg |
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