产品简介
技术参数品牌：Onsemi型号：NDS355AN批号：21+封装：N/A数量：60000QQ：制造商：ONSemiconductor产品种类：MOSFETRoHS：是技术：Si安装风格：SMD/SMT封装/箱体：SSOT-3晶体管极性：N-Channel通道数量：1ChannelVds-漏源极击穿电压：30VId-连续漏极电流：1
详情介绍
技术参数
| 品牌： | Onsemi |
| 型号： | NDS355AN |
| 批号： | 21+ |
| 封装： | N/A |
| 数量： | 60000 |
| QQ： | |
| 制造商： | ON Semiconductor |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 技术： | Si |
| 安装风格： | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体： | SSOT-3 |
| 晶体管极性： | N-Channel |
| 通道数量： | 1 Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 30 V |
| Id-连续漏极电流： | 1.7 A |
| Rds On-漏源导通电阻： | 85 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压： | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压： | 1 V |
| Qg-栅极电荷： | 5 nC |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 工作温度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 500 mW |
| 通道模式： | Enhancement |
| 封装： | Cut Tape |
| 封装： | MouseReel |
| 封装： | Reel |
| 配置： | Single |
| 高度： | 1.12 mm |
| 长度： | 2.9 mm |
| 产品： | MOSFET Small Signal |
| 系列： | NDS355AN |
| 晶体管类型： | 1 N-Channel |
| 类型： | MOSFET |
| 宽度： | 1.4 mm |
| 商标： | ON Semiconductor / Fairchild |
| 下降时间： | 32 ns |
| 产品类型： | MOSFET |
| 上升时间： | 32 ns |
| 工厂包装数量： | 3000 |
| 子类别： | MOSFETs |
| 典型关闭延迟时间： | 13 ns |
| 典型接通延迟时间： | 10 ns |
| 零件号别名： | NDS355AN_NL |
| 单位重量： | 30 mg |
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