产品简介
技术参数品牌：Onsemi型号：FDD6N25TM批号：21+封装：TO-252数量：50000QQ：描述：MOSFETN-CH250V4
详情介绍
技术参数
| 品牌： | Onsemi |
| 型号： | FDD6N25TM |
| 批号： | 21+ |
| 封装： | TO-252 |
| 数量： | 50000 |
| QQ： | |
| 描述： | MOSFET N-CH 250V 4.4A DPAK |
| 对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况： | 无铅/符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求 |
| 湿气敏感性等级 （MSL）： | 1（无限） |
| 原厂标准交货期： | 6 周 |
| 详细描述： | 表面贴装型-N-通道-250V-4.4A（Tc）-50W（Tc）-D-Pak |
| 数据列表： | FDD6N25; |
| 标准包装： | 2,500 |
| 包装： | 标准卷带 |
| 零件状态： | 有源 |
| 类别： | 分立半导体产品 |
| 产品族： | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 |
| 系列： | UniFET™ |
| 其它名称： | FDD6N25TMTR |
| FET 类型： | N 通道 |
| 技术： | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）： | 250V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： | 4.4A（Tc） |
| 驱动电压（ Rds On，最小 Rds On）： | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（值）： | 1.1 欧姆 @ 2.2A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（值）： | 5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（值）： | 6nC @ 10V |
| Vgs（值）： | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（值）： | 250pF @ 25V |
| FET 功能： | - |
| 功率耗散（值）： | 50W（Tc） |
| 工作温度： | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型： | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装： | D-Pak |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
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