技术参数
| 品牌： | ON |
| 型号： | MJE182G |
| 封装： | TO-126/225 |
| 批次： | 21+ |
| 数量： | 12000 |
| 制造商： | ON Semiconductor |
| 产品种类： | 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) |
| RoHS： | 是 |
| 安装风格： | Through Hole |
| 封装 / 箱体： | TO-225-3 |
| 晶体管极性： | NPN |
| 配置： | Single |
| 集电极—发射极电压 VCEO： | 80 V |
| 集电极—基极电压 VCBO： | 100 V |
| 发射极 - 基极电压 VEBO： | 7 V |
| 集电极—射极饱和电压： | 1.7 V |
| 直流电集电极电流： | 3 A |
| Pd-功率耗散： | 1.5 W |
| 增益带宽产品fT： | 50 MHz |
| 最小工作温度： | - 65 C |
| 工作温度： | + 150 C |
| 系列： | MJE182 |
| 高度： | 11.04 mm |
| 长度： | 7.74 mm |
| 技术： | Si |
| 宽度： | 2.66 mm |
| 商标： | ON Semiconductor |
| 集电极连续电流： | 3 A |
| 直流集电极/Base Gain hfe Min： | 50 |
| 产品类型： | BJTs - Bipolar Transistors |
| 工厂包装数量： | 500 |
| 子类别： | Transistors |
| 单位重量： | 680 mg |
所有评论仅代表网友意见，与本站立场无关。