产品简介
技术参数品牌：Infineon(英飞凌)型号：IRF100S201封装：TO263批次：21+数量：12000制造商：Infineon产品种类：MOSFETRoHS：是安装风格：SMD/SMT封装/箱体：TO-263-3通道数量：1Channel晶体管极性：N-ChannelVds-漏源极击穿电压：100VId-连续漏极电流：192ARdsOn-漏源导通电阻：4
详情介绍
技术参数
| 品牌： | Infineon(英飞凌) |
| 型号： | IRF100S201 |
| 封装： | TO263 |
| 批次： | 21+ |
| 数量： | 12000 |
| 制造商： | Infineon |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安装风格： | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体： | TO-263-3 |
| 通道数量： | 1 Channel |
| 晶体管极性： | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 100 V |
| Id-连续漏极电流： | 192 A |
| Rds On-漏源导通电阻： | 4.2 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压： | 20 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压： | 2 V |
| Qg-栅极电荷： | 170 nC |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 工作温度： | + 175 C |
| Pd-功率耗散： | 441 W |
| 配置： | Single |
| 通道模式： | Enhancement |
| 高度： | 2.3 mm |
| 长度： | 6.5 mm |
| 宽度： | 6.22 mm |
| 正向跨导 - 最小值： | 278 S |
| 下降时间： | 100 ns |
| 上升时间： | 97 ns |
| 典型关闭延迟时间： | 110 ns |
| 典型接通延迟时间： | 17 ns |
| 零件号别名： | SP001550868 |
| 单位重量： | 4 g |
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