产品介绍

活动区域：25 mm2

响应度R@13nm： A/W

响应度R@254nm： A/W

反向击穿电压，VR： V

电容，C：40pF（典型），60 pF（max）

上升时间VR = 30V，RL =50Ω：200 nm

分流电阻Vr =±10mV ：5 MOhms

电极间电阻：5,000（min），10,000（典型），15,000（max）欧姆

ID的温度系数：次/ºC

位置非线性：±1 ％（典型），±2％（max）

产品参数

ODD-SXUV-DLPSD，双侧UV / EUV亚微米位置分辨率传感器。新设备在暴露于紫外线和/或极紫外辐射后可提供高度稳定的响应。它采用TO-8无窗口封装，可大程度减少暴露于强烈的UV/EUV光子后二极管的响应度变化。ODD-SXUV-DLPSD的有效面积为5 mm x 5 mm，非常适合高级光刻应用以及需要使用200 nm以下波长的任何其他定位应用。